 |
0755-83215210 |
15994793204
392778842 1574095640
 |
廣東省深圳市福田區(qū)崗廈東二坊69棟1103 |
Samsung Memory 三星 LPDDR2進(jìn)入35nm制程
- 作者:
- 來(lái)源:
- 日期 : 2018-08-06
由于平板電腦與智慧型手機(jī)的普及化，使用高效能處捚器的這些行動(dòng)裝置必需使用LPDDR2的Mobile DRAM，才能展現(xiàn)出高效率的執(zhí)行速度及HD、Full HD的畫質(zhì)，因此被市場(chǎng)大為看好，LPDDR主要供應(yīng)商之一的三星已投入35nm制程的技術(shù)，生產(chǎn)新一代的4Gb LPDDR2。
4Gb LPDDR2除了傳輸速度從46nm制程的2Gb LPDDR2由800Mbps提升到1066Mbps之外，由于單顆內(nèi)存芯片的容量增加及制程進(jìn)步，使得8Gb LPDDR2的封裝，厚度從原本舊制程的1.1mm可以縮小為0.8mm，而作業(yè)時(shí)的電源功耗還能減少17%，系統(tǒng)閑置時(shí)更能減少40%。
三星35nm LPDDR2規(guī)格簡(jiǎn)介
- JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝
- 速度: 800/1066Mbps
- 容量: 4Gb, 8Gb, 16Gb
- Burst Length: 4, 8, 16
- VDD/VDDQ電壓: 1.2V/1.2V
4Gb LPDDR2除了傳輸速度從46nm制程的2Gb LPDDR2由800Mbps提升到1066Mbps之外，由于單顆內(nèi)存芯片的容量增加及制程進(jìn)步，使得8Gb LPDDR2的封裝，厚度從原本舊制程的1.1mm可以縮小為0.8mm，而作業(yè)時(shí)的電源功耗還能減少17%，系統(tǒng)閑置時(shí)更能減少40%。
三星35nm LPDDR2規(guī)格簡(jiǎn)介
- JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝
- 速度: 800/1066Mbps
- 容量: 4Gb, 8Gb, 16Gb
- Burst Length: 4, 8, 16
- VDD/VDDQ電壓: 1.2V/1.2V
