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高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開(kāi)關(guān)性能，以便在IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決方案。

 該款全新產(chǎn)品系列針對(duì)軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，在1000V至1400V的電壓范圍內(nèi)，利用固有的反并聯(lián)二極管進(jìn)行了優(yōu)化。 隨著超越典型非穿通型(NPT) IGBT技術(shù)的不斷進(jìn)步，飛兆半導(dǎo)體的陽(yáng)極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外，如果與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的IGBT產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性，飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。

 特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

高速開(kāi)關(guān)頻率范圍： 10至50 kHz

業(yè)界最低的拖尾電流，可改進(jìn)開(kāi)關(guān)損耗(FGA20S140P)

與現(xiàn)有的NPT trench IGBT相比，飽和壓降更低

電位計(jì)檢測(cè)抗噪能力強(qiáng)健，可提高可靠性

高溫穩(wěn)定特性： Tj(max) = 175 ℃

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無(wú)鉛引腳電鍍）

 采用TO-3P 3L封裝：

1250V FGA20S125P

1250V FGA25S125P

1300V FGA30S120P

1400V FGA20S140P

 采用TO-247 3L封裝：

1300V FGH30S130P

 飛兆半導(dǎo)體的場(chǎng)截止陽(yáng)極短路trench IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，以應(yīng)對(duì)在當(dāng)今設(shè)計(jì)中遇到的能效和形狀因數(shù)挑戰(zhàn)。 這些應(yīng)用都是飛兆半導(dǎo)體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大限度的節(jié)能。