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Samsung (Memory) 次世代SAMSUNG Toggle DDR NAND Flash
- 作者:
- 來(lái)源:
- 日期 : 2018-08-06
Toggle DDR1.0 NAND的接口速度達(dá)到133 Mbps，這已經(jīng)是現(xiàn)今SDR NAND (40 Mbps)超過(guò)3倍的傳輸速率，而Toggle DDR 2.0的最大傳輸速度更提升至400Mbs，是Toggle DDR 1.0技術(shù)的3倍，更是現(xiàn)有SDR NAND FLASH傳輸速度的10倍。使用Toggle DDR NAND的智慧型手機(jī)、平板電腦中所儲(chǔ)存的影片、照片、音樂(lè)等播放速度將會(huì)更上一層樓。
Toggle DDR NAND的使用1.8V和 3.3V的電源，而相較于目前SDR NAND只支援3.3V的供電，更低的電壓能降低電源功率的消耗，達(dá)到省電的效果。
三星將在64Gb MLC NAND首次使用Toggle DDR 2.0技術(shù)。新的NAND將可應(yīng)用到新一代4G智慧手機(jī)和SATA III的6Gbps SSD及USB3.0隨身碟。
Toggle DDR NAND的使用1.8V和 3.3V的電源，而相較于目前SDR NAND只支援3.3V的供電，更低的電壓能降低電源功率的消耗，達(dá)到省電的效果。
三星將在64Gb MLC NAND首次使用Toggle DDR 2.0技術(shù)。新的NAND將可應(yīng)用到新一代4G智慧手機(jī)和SATA III的6Gbps SSD及USB3.0隨身碟。
